Cientistas russos anunciam avanço para criação de memórias ferroelétricas.

Com a crescente demanda para o armazenamento de dados, memórias que apresentem grande capacidade de armazenamento, velocidade de leitura/gravação em cada vez menor espaço são cada vez mais requisitadas.

Utilizando materiais ferroelétricos, mais precisamente Óxidos de Háfnio e Zircônio , cientistas da Moscow Institute of Physics and Technology (MIPT)  foram capazes de demonstrar as propriedades básicas  em um filme de apenas 2,5  nanômetros. Tais propriedades envolvem o material ser um dielétrico, ou seja, não ser condutor, além de alterar a sua polaridade por influência de um campo magnético externo e mantendo o mesmo, alterando juntamente sua resistência.

Disposição do material ferroelétrico entre duas camadas condutoras.
Disposição do material ferroelétrico entre duas camadas condutoras.

Denominado Ferroelectric Tunnel Junctions, o método consiste em colocar o material entre duas placas condutoras, responsáveis por gerar um campo elétrico e assim alterar sua polaridade. Dessa forma os cientistas esperam conseguir criar uma memória “universal”, infelizmente mesmo que construída, a memória não funcionaria com os dispositivos de sílico atuais, o que representa a imensa maioria dos componentes do mercado.

Em teoria tais memórias conseguiriam obter velocidades comparáveis as memórias RAM, com um armazenamento de disco rígido e a vantagem de não serem voláteis. Com a crescente e exponencial demanda por espaço em disco e velocidade do mesmo, o desenvolvimento de tecnologias na área de armazenamento é inevitável, sendo cada vez mais diversificado o método de armazenamento e propriedades dos mesmos, estes indo de encontra a uma singularidade: o grande espaço de armazenamento com altas velocidades e espaços reduzidos.

 

Para maiores informações acesse: ElectronicsWeekly

Cientistas russos anunciam avanço para criação de memórias ferroelétricas.

Aluno do 2º ano de Engenharia da Computação e estagiário no Núcleo de Computação Embarcada da Universidade Positivo (NCE).

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